Теллурид кадмия и цинка-кадмия

Теллурид кадмия (CdTe) и теллурид цинка-кадмия (CdZnTe) являются широкозонными полупроводниковыми материалами группы А2В6. Монокристаллы этих соединений применяются при создании детекторов ионизирующих излучений, превосходящих по эффективности детекторы на основе Ge или Si, а также в инфракрасной оптике и лазерной технике. Главное преимущество детекторов на основе кристаллов теллурида цинка-кадмия - способность работать при комнатной температуре. Германиевые детекторы необходимо охлаждать жидким азотом; кроме того, они применяются со спектрометрами на основе теллурида кадмия меньшего размера. Кристаллы теллурида цинка-кадмия сейчас применяются в солнечной энергетике для фотоэлектрических преобразователей в качестве поглощающих слоев.

Современные методы выращивания кристаллов теллурида цинка-кадмия:

- зонная плавка;

- способ Бриджмена при высоком и низком давлении инертного газа;

- из паровой фазы.

Первые два метода позволяют получить кристаллы небольшого размера и неоднородной кристаллической структуры. РВТ располагает методикой роста более крупных кристаллов теллурида кадмия и теллурида цинка-кадмия, позволяющих получать детекторы размером 4*4*2 см, что значительно крупнее принятого на сегодняшний день коммерческого размера 2*2*2 см (размер 4*4*6 считается уникальным лабораторным достижением). Наши кристаллы обладают высоким структурным совершенством (технологически гарантируется плотность дислокаций Nd не более 1*104 см -2), имеющим существенные преимущества по сравнению с другими подобными материалам.